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合肥长鑫:大扩产!
发布时间: 2021-09-17

  国内唯一的 DRAM 芯片存储基地传来好消息。据行业公众号问芯Voice,昨日(28日),合肥长鑫第二期12寸厂房举行奠基仪式。据悉,新厂房是为未来进入1y nm以下工艺节点(接近15nm工艺)所做的前期准备。

  据长鑫规划,第一个量产的工艺节点是19nm(10G1工艺),目前正在研发17nm(10G3工艺),之后拟研发10G4工艺节点(接近国际大厂15nm/1y nm工艺)。这次举行奠基仪式的二期厂房,主要生产10G4工艺技术以下芯片。另外,公司计划今年完成17nm工艺DDR5 和LPDDR5芯片研发。

  若合肥长鑫成功实现规划,有望跻身三星、SK 海力士、美光全球三大DRAM巨头之列,成为第四大DRAM芯片厂。

  受终端产品需求旺盛、数据中心回温带动,存储需求大幅拉高,推动存储器产业持续成长153960.com

  存储大厂美光CEO看高产业存储需求,指出NAND和DRAM供给面紧俏态势将延续至2022年。广发证券分析师蒲得宇、张晓飞也认为,由于买方急于欲拉高DRAM库存,DRAM价格已正式进入上涨周期。

  DRAM Q2报价涨幅已进入全年峰值,从4月至6月累计涨幅将达到20-25%。不过,由于供需缺口持续拉大,分析师相继看好价格上扬空间,认为涨势并没有就此止步。

  研究机构TrendForce表示,存储器原厂库存偏低,DRAM原厂平均库存仅3-4周,预估Q3整体DRAM价格将续涨约3-8%;IC Insights也上调对产值预估,预期全年将成长41%,并看好下半年价格继续上涨。